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内容简介：本书从集成电路器件可靠性问题出发,具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识,介绍了抗辐射加固设计(RHBD)技术以及在该技术中常用的相关组件,针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器(SRAM)单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术,描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。