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内容简介：本书共27讲，分为4部分：半导体物理基础，主要内容包括半导体概述、晶体结构、能带模型、平衡半导体、载流子输运、半导体中的非平衡过剩载流子；半导体器件，主要内容包括pn结、金属半导体接触、异质结、双极晶体管、现代双极晶体管结构、MOSFET基础、MOSFET的非理想效应、先进的MOSFET器件；集成电路设计，主要内容包括集成电路简介、模拟集成电路设计、数字集成电路设计、半导体存储器、射频集成电路设计、仿真与验证；半导体技术与工艺，主要内容包括：半导体技术简介、双极技术和砷化镓数字逻辑工艺、CMOS工艺、可靠性等。