← 返回

氮化镓与碳化硅功率器件——基础原理及应用全解——from fundamentals to applied design and market analysis

著者(意)毛里齐奥·迪保罗·埃米利奥(Maurizio Di Paolo Emilio)著,邓二平,吴立信,丁立健译
ISBN9787122477545
分类号TN303 电子技术、通信技术
学科工学
版次第1版
出版社化学工业出版社
丛书名
出版年2025.07
价格¥99.00
页码195页
类型 📄 纸质书
核心评分9.6/10
读者对象
主题词氮化镓——功率半导体器件
内容简介:本书内容以实用性为出发点,阐释了氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体的原理、制造工艺、特性表征、市场现状以及针对关键应用的设计方法。针对GaN器件,从材料特性、芯片设计、制造工艺和外特性各方面深入分析,介绍了仿真手段和各种典型应用,最后还介绍了目前主流的技术和GaN公司。
登录后可荐购