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基于新型二维材料异质结电子结构及光电特性的理论研究

著者李东翔著
ISBN9787121505232
分类号TB383 一般工业技术
学科工学
版次第1版
出版社电子工业出版社
丛书名
出版年2025
价格¥99.00
页码268页
类型 📄 纸质书
核心评分10.0/10
读者对象
主题词纳米材料——异质结——电子结构——光电效应——研究
内容简介:本书以设计高性能和自供电光电探测器为目的,围绕新型二维材料异质结的光激发载流子转移、自供电机理和光电特性改善进行研究;利用第一性原理和非绝热分子动力学方法,对GaSe/SnS2、InSe/BP、BP/Cs2SnI4、Cs2SnI2Cl2/Cs2TlI6和GaN/WSe2/MoS2异质结的电子结构进行了计算,分析了界面效应对异质结自供电机制的影响,研究了异质结界面处载流子分离和复合的竞争机制,探究了应变对异质结能带结构及光电特性的调控,为设计和制备高性能自供电光电探测器提供了理论支撑。
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