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内容简介：本书分为9章，主要内容包括硅基半导体应变理论与技术、硅基半导体应变能带理论与空间群、应变锗能带结构计算、硅基半导体应变弹塑性力学理论、临界带隙应变Ge1-xSnx合金能带特性与迁移率计算、硅基半导体应变材料的RPCVD计算流体动力学模拟研究、硅基半导体应变材料CVD生长机理与生长动力学模型、硅基半导体应变材料的缺陷形成机理与控制方法、硅基半导体应变材料的生长动力学与制备实验。