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内容简介：本书内容共分为7章。第1章概述集成电路的发展背景、当前面临的关键技术挑战、未来发展趋势，以及超陡亚阈值斜率晶体管的基本概念。第2章介绍环栅负电容隧穿场效应晶体管的电学特性与解析模型。第3章重点分析硅基多栅NC-FET的解析模型、设计准则等。第4章讨论基于2D沟道材料的NC-FET的实验制备、电学特性表征以及解析建模。第5章研究负电容氧化物薄膜晶体管的实验制备流程及工艺优化方法。第6章提出一种新型负电容无结型晶体管结构，并深入分析该器件的工作机理、电学性能和温度特性等。第7章详细探讨基于原子阈值开关器件的混合场效应晶体管的低功耗特性、工作机理及优化设计方法。