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全耗尽绝缘体上硅:纳米器件、机理和表征

著者(法)Sorin Cristoloveanu著
ISBN9787121522727
分类号TN304.9 电子技术、通信技术
学科工学
版次第1版
出版社电子工业出版社
丛书名
出版年2026
价格¥99.90
页码20264页
类型 📄 纸质书
核心评分8.6/10
读者对象
主题词超晶格半导体
内容简介:本书围绕FDSOI的基本概念和主要环节展开,共10章。第1章介绍FDSOI晶圆的制备工艺和关键技术;第2章介绍耦合效应;第3章介绍尺寸微缩效应、沟道短沟道效应、漏致势垒降低和迁移率崩塌等尺寸相关现象;第4章介绍浮体效应,包括翘曲、迟滞和锁存等浮体效应类型及其在FDSOI中的影响;第5章介绍FDSOI器件的工作原理、测试方法和表征技术;第6章介绍FDSOI MOSFET的表征方法;第7章介绍静电掺杂及相关器件;第8章介绍FDSOI特殊器件;第9章介绍能带调控器件;第10章介绍新兴器件。
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