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内容简介：本书聚焦国家半导体战略，系统论述了宽禁带半导体核心材料Ⅲ族氮化物的基础理论、制备技术与性能评估方法。第一篇从晶体结构、物理化学特性出发，解析材料在光电子与高功率器件中的应用机理；第二篇介绍了化学/物理气相沉积技术原理与工艺优化策略；第三篇阐述了光学、电学等性能多维度表征方法。同时，书中结合了研究团队创新成果，为学科发展和产业升级注入新动能。